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              HMDS烘箱在第三代半導體材料中的工藝

              更新時間:2023-10-07   點擊次數:224次

              HMDS烘箱在第三代半導體材料中的工藝

                第三代半導體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度Eg>2.3eV)的半導體材料。其中又以SiC和GaN為最核心的材料。然而這些新材料襯底在光刻模塊中的標準步驟是:脫水烘烤、HMDS prime、抗蝕劑旋轉/噴涂、軟烘烤、對準、曝光、曝光后烘烤、顯影硬烘烤和除渣。

                HMDS prime - 在晶圓表面涂上附著力促進劑。附著力促進劑用于與晶圓表面發生化學反應,并用有機官能團取代 -OH 基團,與羥基不同,該官能團對光刻膠具有良好的附著力。硅烷通常用于此目的,最常見的是六甲基二硅烷 (HMDS)。

                施加粘合促進劑的優選方法是將基材置于 HMDS 蒸汽中,通常是在升高的溫度和降低的壓力下。這允許在沒有過多 HMDS 沉積的情況下對基材進行良好的涂覆,并且更高的溫度會導致與硅烷醇基團的反應好。

                文中所要求的HMDS蒸汽及升高溫度和降低壓力的制作工藝,可在HMDS烘箱中完成,無需獨立操作,一鍵作業。

              HMDS烘箱技術規格:

              內腔尺寸:300×300×300、450×450×450(mm)(可定制)

              材質:內箱采用 316L 醫用級不銹鋼

              溫度范圍:RT+30-200℃

              真空度:≤1torr

              電源及總功率:AC 220V±10% / 50HZ,總功率約2.8KW

              控制儀表:人機界面,一鍵運行

              擱板層數:2 層

              HMDS控制:可控制HMDS添加量

              真空泵:無油渦旋真空泵


              HMDS藥液泄漏報警提示功能

              HMDS低液位報警提示功能

              工藝數據記錄功能

              藥液管道預熱功能

              程序鎖定保護等功能



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